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1，高速順序讀寫/IOPS性能優越；
2，自主REC算法確保持續寫入穩定；
3，支持極端高低溫環境作業；
4，支持異常斷電保護2000000次以上；
5，支持 Trim、NCQ、SMART，全局均衡擦除；
6，可定制化
| 型號 | BWI46E2 |
|---|---|
| 接口 | SATA3 6.0Gb/s |
| FLASH 類型 | MLC NAND |
| 容量 | 512GB/1TB/2TB |
| 最大通道數 | 4 |
| 連續讀/寫(MB/s,Max) | 525MB/s（讀）；430MB/s（寫） |
| 最大功耗 | 1.3W （3.3Vx400mA)/3.3W（3.3Vx1.0A）/1.65W （3.3Vx500mA） |
| 溫度感應 | 支持 |
| 外部緩存 | 支持 |
| 固件備份 | 支持 |
| TRIM | 支持 |
| ATA 加密 | 支持 |
| S.M.A.R.T 監控 | 支持 |
| AES 256-Bit | 可選 |
| 掉電保護 | 支持 |
| 快速擦除 | 支持 |
| 物理銷毀 | 可選 |
| 工作溫度 | -40~85℃ |
| 測試環境 | 震動:20G@7~2000Hz/沖擊:1500G@0.5ms/儲存溫度: -55°C ~ +95°C/ MTBF:>200萬小時 |
| 尺寸 | 50.8X29.85X4.85mm |
| 應用方向 | 車載電子 / 醫療保健 / 行業終端應用 / 視頻監控 |
| 技術特點 | 寬溫 / IPS掉電保護 / V-REC / 三防漆涂層 / 端到端的數據保護 / S.M.A.R.T. |
粵公網安備 44030502005876號 |