近年來(lái)，可穿戴設(shè)備市場(chǎng)增長(zhǎng)迅猛，據(jù)Gartner預(yù)計(jì)，可穿戴設(shè)備數(shù)有望在2020年將達(dá)到4.77億臺(tái)。隨著智能穿戴設(shè)備的集成度越來(lái)越高，對(duì)存儲(chǔ)器的性能、尺寸和功耗也提出了新的要求，采用NAND型存儲(chǔ)器（如eMMC、ePOP，SPI NAND等）成為不二之選。

對(duì)于“寸土寸金”的穿戴設(shè)備而言，在功能完整性不變的情況下，盡可能縮小內(nèi)部芯片的尺寸和功耗具有重要的意義，以解決續(xù)航這一痛點(diǎn)為例，低功耗芯片可以大大提升電池單次充電后的續(xù)航時(shí)間；而芯片尺寸的縮小則可以給電池預(yù)備更多的存放空間，增大電池容量。佰維存儲(chǔ)針對(duì)穿戴設(shè)備這一細(xì)分市場(chǎng)需求，先后推出ePOP、超小尺寸eMMC、SPI NAND等微型存儲(chǔ)芯片，全面助力智能穿戴設(shè)備“小而精”，提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

佰維ePOP

最大化節(jié)省主板空間，功耗更低，性能更優(yōu)

佰維ePOP（Embedded Packaege on Package）高度整合了JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)元件，將 eMMC 及 LPDRAM 整合至體積小巧的封裝中。eMMC采用MLC/TLC NAND Flash，符合JEDEC eMMC 5.0規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，LPDDR則是采用LPDDR3，整顆芯片采用FBGA136的封測(cè)形式。佰維ePoP存儲(chǔ)芯片直接裝載在相應(yīng)的主機(jī) CPU 上方，可最大化節(jié)約主板空間；跟平面的鋪放方式相比，ePOP堆疊方式使存儲(chǔ)器更接近CPU 的內(nèi)存，從而確保最佳傳輸速率，做到性能最優(yōu)。

佰維存儲(chǔ)的這款ePOP封裝芯片提供4+4、8+4、8+8等容量組合方案，尺寸為10mm×10mm×0.9mm，與傳統(tǒng)方案相比可減小約60%的板載面積，僅為0.9毫米的厚度，充分滿足智能手表等設(shè)備輕薄、小巧的需求。

佰維ePOP系列目前已被穿戴式設(shè)備大廠應(yīng)用于其高端智能穿戴設(shè)備上，助力客戶在終端消費(fèi)市場(chǎng)取得了良好的口碑與銷量。

值得一提的是，自2017年新關(guān)稅實(shí)施后，對(duì)于非大陸生產(chǎn)和交貨的多元器件將增收至少3％的稅點(diǎn)。佰維作為國(guó)產(chǎn)廠商可為客戶節(jié)省此筆款項(xiàng)，這也體現(xiàn)了國(guó)內(nèi)企業(yè)的本地化優(yōu)勢(shì)。

佰維超小eMMC

不斷突破尺寸限制體積較傳統(tǒng)規(guī)格縮小75％

尺寸是限制穿戴式設(shè)備外觀和功能的關(guān)鍵因素之一。領(lǐng)先的存儲(chǔ)全案提供商BIWIN佰維推出了7.5mm×8.0mm×0.6mm尺寸的超小超薄eMMC，體積比標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格eMMC減小75％，尤其適用于對(duì)尺寸、功耗敏感、可靠性和耐用性要求高的可穿戴式設(shè)備，為設(shè)備制造商破局提供了可快速落地的解決方案。

佰維超薄、超小尺寸eMMC優(yōu)勢(shì)顯著

1，    高度集成閃存、主控與MMC接口，符合JEDEC規(guī)范；

2，    尺寸小巧，僅為7.5mm×8.0mm×0.6mm；

3，    性能強(qiáng)勁，最大順序讀取速度308MB/s；

4，    支持動(dòng)態(tài)電源管理，節(jié)能、省電，功耗更低.

此外，佰維的這款超小尺寸eMMC已經(jīng)通過(guò)了Airoha等專業(yè)平臺(tái)驗(yàn)證并已順利實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

佰維SPI NAND 

助力高可靠性需求的穿戴式設(shè)備

佰維在小容量、微存儲(chǔ)器應(yīng)用開發(fā)上不斷推陳出新，引領(lǐng)趨勢(shì)。如佰維針對(duì)穿戴式設(shè)備、光貓、機(jī)頂盒等開發(fā)的SPI NAND采用先進(jìn)的ECC引擎以保證其使用可靠性得到大幅度的提升，作為一種小尺寸、低引腳數(shù)、高密度的NAND FLASH存儲(chǔ)解決方案，佰維SPI NAND尺寸僅為8.0mm×6.0mm×0.8 mm，容量支持1Gb~4Gb。在諸如省電能力、使用表現(xiàn)等方面有著優(yōu)異的可拓展性。

佰維SPI NAND的優(yōu)勢(shì)

1，    更小封裝尺寸，節(jié)省PCB板空間及MCU引腳消耗，降低產(chǎn)品成本；

2，    兼容SPI NOR FLASH接口， 多種接口模式，應(yīng)用更廣泛；

3，    高可靠性，采用工業(yè)級(jí)SLC，數(shù)據(jù)保持時(shí)間10年，擦寫壽命可達(dá)10萬(wàn)次；

4，    較SPI NOR FLASH具備更大容量，更高的寫入和擦寫速度.

中國(guó)作為最大的存儲(chǔ)需求地，本土企業(yè)擁有很大的發(fā)展機(jī)遇。在這樣的背景下，佰維致力于打造自身的核心競(jìng)爭(zhēng)力，為客戶提供有高品質(zhì)、高可靠性的存儲(chǔ)產(chǎn)品和解決方案。佰維深耕存儲(chǔ)多年，積累了大量的存儲(chǔ)核心專利，擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的存儲(chǔ)算法及固件開發(fā)能力、突出的硬件設(shè)計(jì)能力、全方位的測(cè)試能力以及以SiP為核心的先進(jìn)封裝制造能力，是業(yè)內(nèi)少數(shù)兼具芯片應(yīng)用設(shè)計(jì)與封測(cè)制造能力的存儲(chǔ)企業(yè)。另外，近百人的技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)，快速響應(yīng)客戶需求，充分發(fā)揮本土企業(yè)的服務(wù)優(yōu)勢(shì)。

佰維“從芯到端”不斷引領(lǐng)新興應(yīng)用市場(chǎng)的存儲(chǔ)新趨勢(shì)，在5G 、物聯(lián)網(wǎng)、智能終端應(yīng)用下的存儲(chǔ)領(lǐng)域?yàn)榭蛻籼峁┯懈?jìng)爭(zhēng)力、安全可信賴的產(chǎn)品、解決方案與服務(wù)，滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景下的存儲(chǔ)需求，持續(xù)為客戶創(chuàng)造價(jià)值。