近日，2020年“中國(深圳)集成電路峰會”在深圳成功召開。本屆峰會主要聚焦IC設計產業、研討先進特色制造和封裝工藝、探索創新生態體系、促進產品創新應用。作為聚焦于半導體存儲器與特色先進封測制造的代表企業，佰維應邀出席峰會“集成電路設計創新論壇”，公司副總經理劉陽先生作了《國內存儲器廠商面臨的挑戰與機會》的主題演講報告。

劉總認為，國內半導體市場正面臨著全球半導體產業轉移和國家大力扶持的歷史機遇，存儲器作為半導體集成電路的重要子集，面臨巨大的發展機遇，中國是全球智能終端重要市場，也是存儲器消費大國，中國存儲器市場發展前景廣闊。在國內存儲市場競爭中，國際存儲巨頭與國內存儲廠商形成了緊密的產業鏈合作，也不斷地繁榮了大陸存儲產業鏈布局。

劉總進一步指出，國際存儲巨頭與國內存儲廠商的關系，雖然有競爭，但更多是合作和互補。因為存儲市場容量足夠大，國際存儲巨頭專注于提供規?；拇鎯Ξa品，近年來專注研發大容量、高性能存儲芯片，不斷推進先進存儲技術并憑借技術優勢獲取較高市場份額。國內存儲企業由于各家所處的發展階段不同，在以領先企業為目標進行技術跟進的同時，結合自身技術特點和市場需求，專注于成熟產品的細分市場并實現填補和替代效應，與行業領先企業形成差異化競爭。佰維作為存儲行業的老兵，在其多年來的發展歷程中，慢慢地走出了屬于自己的“存儲+封測”雙輪驅動模式，致力于從芯到端賦能萬物互聯。

佰維多年來專精于半導體存儲器的創新研發與封測制造，布局了全系列、全容量、全場景應用的存儲產品線矩陣，涵蓋了標準化、規?；耐ㄓ眯痛鎯ζ饕约?ldquo;千端千面”的行業定制化方案，最終實現從客戶端需求開發到最終產品端量產的一站式交付能力。佰維是國內最早布局封測制造的存儲企業，優異的封測制造工藝賦予了公司更靈活的和快速響應的定制化優勢，通過研發與封測實力不斷賦能存儲芯片小型化、大容量與低功耗，進而滿足終端設備日益輕薄與高集成度的需求。

如大家所知，存儲芯片容量的提升一方面來自于3D NAND對2D NAND的突破，單顆Die存儲密度不斷增大。而封裝層面上，芯片大容量提升則依賴于超薄Die和疊Die等核心封測工藝。以單Die 32GB為例，通過8疊Die封裝工藝，最終NAND芯片可以達到256GB，而通過16層疊Die工藝單芯片容量則可以達到512GB；此外，鑒于智能穿戴設備對存儲芯片厚度敏感需求，佰維通過超薄Die工藝，佰維超小eMMC寸尺可做到7.5mmx8.0mm，產品厚度最薄可至0.6mm。

佰維eMCP封裝結構

從產品內部結構看，存儲芯片本身就是一個小型的復雜集成單元，由NAND、控制器組成了eMMC，通過新增DRAM緩存則成為eMCP，通過多器件、多層異構架構的集成，通過封裝工藝解決尺寸問題的同時，還需要軟件算法、硬件仿真等解決固件調校、信號干擾等，才最終造就了一顆存儲芯片的誕生。而這些核心的封測技術能力則構成了佰維以SiP為核心的特色先進封測能力，封測業務覆蓋至存儲器、通信芯片等，并針對IC設計公司、高校和院所的需求，提供24小時快封服務。

未來，萬物互聯帶動各垂直行業模組放量，存儲市場需求量巨大。隨著原廠產能不斷釋放，加之下游終端需求量激增，以SiP為核心的先進封測市場將進一步爆發，佰維將從存儲器芯片以及封測服務能力上賦能萬物互聯時代的到來。